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Epitaxie

Kohlenstoff-Suszeptoren für epitaktische Wachstumsverfahren

Silicon carbide susceptor for epitaxial growth processing.

Waferträger, die bei epitaktischen Wachstumsverfahren ververwendet werden, müssen hohen Temperaturen und einer aggressiven chemischen Reinigung standhalten. CoorsTek Clear Carbon™ Suszeptoren wurden speziell für diese anspruchsvollen Epitaxieanwendungen entwickelt. Ihre mit hochreinem Siliciumcarbid (SiC) beschichtete Graphitkonstruktion bietet überlegene eine Wärmebeständigkeit, gleichmäßige thermische Uniformität für gleichbleibende Dicke und Beständigkeit der Epischicht und dauerhafte chemische Beständigkeit. Die feine SiC-Kristallbeschichtung bietet eine saubere, glatte Oberfläche, die für die Handhabung von entscheidender Bedeutung ist, da reine Wafer den Suszeptor an vielen Stellen ihrer gesamten Fläche berühren.

  • Hochreines SiC-beschichtetes Graphit
  • Überlegene Wärmebeständigkeit und thermische Uniformität
  • Feiner SiC-Kristall für eine glatte Oberfläche
  • Hohe Haltbarkeit bei chemischer Reinigung