成膜
金属および誘電体膜蒸着用セラミック部品
チャンバードームとライナー • ペデスタルヒーター • メッキ絶縁体 • 成膜リング • 真空破壊用ブレイクフィルター
半導体成膜プロセス
半導体成膜プロセスは、揮発性前駆体ガス、プラズマ、高温の組み合わせを使用して、高品質の薄膜をウェハに積層します。成膜チャンバーやウェハ取り扱いツールには、これらの過酷な環境に耐える耐久性のあるセラミックコンポーネントが必要です。
CoorsTekは、以下のためのカスタムエンジニアリングOEMコンポーネントを提供しています：
- 化学気相成長（CVD）
- 物理気相成長（PVD）
- 電気化学的メッキ / 電気化学的成膜（ECP, ECD)
- 原子層成長（ALD）
成膜チャンバー部品
プロセス装置が過酷な蒸着条件にさらされたり、ウェーハに接触するあらゆる場所で、先進セラミックスの不活性で耐久性のある特性が必要とされています。
- チャンバーリッド（ドーム）
- チャンバーライナー
- 成膜リング
- ガス分散プレート（シャワーヘッド）
- ペデスタルヒーター
- メッキ絶縁体
- 真空破壊用ブレイクフィルター
推奨される成膜チャンバー部品材料
クアーズテックでは、以下のような幅広いポートフォリオの半導体グレードセラミックスを使用しています。
- アルミナ（Al2O3）：PlasmaPure™、Sapphal™、その他高純度組成物
- 窒化アルミニウム（AlN）
- PureSiC® 炭化ケイ素（SiC）
- コーティング：CVD SiC、ESD-Safe、イットリア
チャンバードームとライナー
チャンバードーム（リッドと呼ばれることもあります）は、蒸着チャンバー内にクリーンで不活性な保護環境を作り出すために使用されます。チャンバー内での化学反応により、ウェーハ上に金属、誘電体、半導体材料の薄層が蒸着されます。
チャンバーリッドとライナーは、成膜またはエッチングプロセス中にプラズマにさらされるため、高いプラズマ耐久性、純度、誘電強度の組み合わせが要求されます。高純度アルミナ（Al2O3）と窒化アルミニウム（AlN）は、このような装置の課題を満たすために頻繁に使用されます。
成膜リング
リングはウェーハのエッジと周辺を覆い、重要なチャンバー部品を保護し、耐用年数を延ばします。リングは成膜プロセスに直接さらされるため、優れたプラズマ耐久性と高純度は最終的なウェ－ハ歩留まりにとって不可欠です。
ヒータープレート
成膜装置用ヒーターには、高純度および耐プラズマ性とともに、ウェーハ全体に均一な熱分布が求められます。クアーズテックのヒーターは、直径 300 mm までのウェーハに対応する特定の OEM 要件に合わせて設計されています。窒化アルミニウム（AlN）は、高い熱伝導性と強い電気抵抗性を兼ね備えているため、これらのヒーターによく使用されます
メッキ絶縁体
セラミックメッキ絶縁体は、電気化学メッキ（ECP）と電解蒸着（ECD）プロセスで使用され、優れた電気特性と耐薬品性を提供します。
真空破壊用ブレイクフィルター
真空破壊用ブレイクフィルターは、成膜やその他の真空プロセスで使用されるディフューザーで、真空チャンバーの迅速でクリーンなベントを可能にします：
- ウェーハ上のパーティクル付着を低減し、歩留まりを向上させる。
- チャンバーのベントを高速化し、スループットを向上させる
クアーズテックの真空破壊用ブレイクフィルターは、様々なタイプとサイズの真空チャンバー用に特別に設計された多孔質アルミナ（Al2O3）と多孔質炭化ケイ素（SiC）セラミックスを使用しています：
- チューブタイプ（ロードロック、トランスファー、プロセスチャンバー用）
- ディスクタイプ（狭いスペースのチャンバー用）
- 石英タイプ（熱処理およびLPCVDチャンバー用）
真空破壊用ブレイクフィルター™の効果
下の写真はシミュレーションで、約11リットルのチャンバーで、真空破壊用ブレイクフィルター™を使用せず約60秒でスローベントを行った場合（右側）と、真空破壊用ブレイクフィルター™を使用しスローベントを行わずに約20秒で真空破壊した際の状況（左側）を撮影したものです。白球状のものはパーティクルに見立てた発泡スチロールです。
フィルター使用
スローベントなし
フィルター不使用
スローベントあり
真空破壊用ブレイクフィルター™を取り付けることにより、パーティクルの舞い上がりを最小限に抑えることができます。また真空破壊用ブレイクフィルター™は、パーティクルの発生を抑え、突発パーティクルを防止し、真空装置のスループットを向上させます。
